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某国际半导体大厂入股泰科天润扩大了碳化硅版图


更新时间:2021-11-19  


  10月末,泰科天润半导体(以下简称“泰科天润”)宣布D轮融资获得了某国际半导体大厂和元禾重元的联合助力,根据日前天眼查显示的变更记录,泰科天润所称的某国际半导体大厂便是SK海力士。

  此前有消息称SK集团到2025年将在尖端材料领域投资5.1万亿韩元。其中,7000亿韩元用于SiC晶圆。

  面对潜力巨大的SiC市场,SK集团计划将SiC晶圆的生产能力从今年的3万片增加到2025年的60万片,将全球市场占有率从5%提高到26%。

  另外,SK集团将碳化硅作为新的增长动力,近年来一直在进行大规模投资。今年1月,SK集团向生产SiC功率半导体的韩国企业Yes Power technologies投资268亿韩元,收购了该公司33.6%的股份。

  目前,泰科天润正朝着集团化、规模化的方向上大举迈进,当前碳化硅专有人才队伍已经接近400人,覆盖研发、工艺、生产、设备、动力、品控、测试、应用、市场等各个环节。泰科天润在湖南浏阳投资建设6英寸碳化硅项目,项目2019年年底正式开建。此前公开消息显示,项目分两期建设,一期总投资5亿元,主要建设6英寸碳化硅基电力电子芯片生产线,生产碳化硅芯片等产品。

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  11月11日,浙江晶盛机电股份有限公司(证券代码:300316,证券简称:晶盛机电)召开2021年第二次临时股东大会,就《关于公司符合向特定对象发行股票条件的议案》、《关于公司向特定对象发行股票方案的议案》、皇家图库!《关于浙江晶盛机电股份有限公司向特定对象发行股票预案的议案》等9项议案进行了审议和投票,爱集微作为其机构股东参与了此次股东大会并投出赞同票。本次临时股东大会审议通过了《关于公司向特定对象发行股票方案的议案》等议案。为满足业务发展的需要,扩大公司经营规模,进一步增强公司资本实力及盈利能力,晶盛机电拟通过向特定对象发行股票的方式募集资金不超过57亿元,募集资金将用于碳化硅衬底晶片生产基地项目、12英寸集成电路大硅片

  据外媒报道,半导体专家Nexperia宣布推出650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管,进入高功率碳化硅二极管市场。Nexperia是高效功率氮化镓(GaN)FET值得信赖的供应商,此次新品推出是该公司的一项战略举措, 以扩展其高压宽带隙半导体器件产品。(图片来源:Nexperia)Nexperia的首款SiC肖特基二极管具有650 V重复峰值反向电压(VRRM)和10 A连续正向电流(IF),旨在将超高性能和高效率与功率转换应用中的低能量损耗相结合。该二极管具有高压兼容实2引脚(R2P)封装的额外优势,香港马会资料雷锋图库,以及更高爬电距离,因此可以选择表面贴装(DPAK R2P和D2PAK R2P)或通孔(TO-220-2,TO-247-2

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  驾驭狼的速度,泰克与忱芯强强联手解决宽禁带半导体测试难题中国北京2021年11月8日 –近日,由忱芯科技(UniSiC)主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开,横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会,围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点,展开讨论。值此盛会,泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟,双方将深度整合资源,优势互补,围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作,为客户解决宽禁带半导体测试挑战。宽禁带功率半导体器件测试,尤其是精准、全面、可靠的器件特性表征,对于器件本身的迭代以及各场景的应用都起着关键作用。SiC MOSFET器件

  日前,杭州乾晶半导体有限公司(以下简称:乾晶半导体)研发的碳化硅衬底晶片通过公司内部品质检验,达到同行业产品质量标准。乾晶半导体消息显示,11月3日,首批样品已正式提供客户端进行工艺验证。目前与中国及日本公司达成战略合作意向,可为国内外客户提供4、6寸碳化硅晶棒及晶片。据悉,2020年7月,杭州乾晶半导体成立于浙江大学杭州国际科创中心,专注于第三代半导体材料领域,是一家集半导体碳化硅(SiC)单晶生长、晶片加工和设备开发为一体的高新技术企业。其核心团队来自于浙江大学硅材料国家重点实验室,与浙大科创中心先进半导体研究院成立联合实验室共同承担 SiC材料的产业化任务,力争三到五年成为国际知名的第三代半导体材料品牌和标杆企业。

  当地时间11 月 3 日,Qorvo宣布收购美国碳化硅(SiC)功率半导体制造商United Silicon Carbide(UnitedSiC)。交易金额尚未披露,不过这笔收购将使Qorvo的影响力延伸至电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场。 UnitedSiC将并入Qorvo旗下的基础设施和国防产品(IDP)部门。资料显示,United Silicon Carbide的产品组合现已涵盖80多种SiC FET、JFET和肖特基二极管器件。SiC是第三代半导体的重要代表,相较于传统硅材料能够明显改善系统效率,包括EV、EV充电和能源基础设施

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